6.5 kV SiC Power Devices with Improved Blocking Characteristics against Process Deviations
Autor: | In Ho Kang, Wook Bahng, Hojun Lee, Hyoung Woo Kim, Ogyun Seok, Junki Jung |
---|---|
Rok vydání: | 2021 |
Předmět: | |
Zdroj: | JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE. 21:119-125 |
ISSN: | 2233-4866 1598-1657 |
DOI: | 10.5573/jsts.2021.21.2.119 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |