Hydrogen Passivation of the Dislocation-Related D-Band Luminescence in Silicon

Autor:	H. J. Queisser, K. Weronek, J. Weber
Rok vydání:	1993
Předmět:	Photoluminescence Passivation Silicon Hydrogen Chemistry Inorganic chemistry Analytical chemistry chemistry.chemical_element Hydrogen passivation Condensed Matter Physics Electronic Optical and Magnetic Materials D band Dislocation Luminescence
Zdroj:	Physica Status Solidi (a). 137:543-548
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2211370224
Popis:	The influence of atomic hydrogen on the D-band photoluminescence in silicon is investigated. In contrast to other studies, a preferential passivation of the D1- and D4-band intensities but an increase in the intensities of the D2 and D3 bands after hydrogen passivation at 300 °C are observed. Der Einflus von atomarem Wasserstoff auf die D-Banden-Photolumineszenz in Silizium wird vorgestellt. Im Gegensatz zu fruheren Untersuchungen wird nach mehrstundiger Plasmabehandlung bei 300 °C eine bevorzugte Passivierung der D1- und D4-Banden gefunden, hingegen wachsen die Intensitaten der D2- und D3-Banden nach dieser Behandlung an.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4938060edcaeedff45546223513f2f0 https://doi.org/10.1002/pssa.2211370224 Zobrazit plný text záznamu Plný text