Erratum: 'Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si' [Appl. Phys. Lett. 120, 153501 (2022)]

Autor: Siyuan Xu, Lining Liu, Guangming Qu, Xingfei Zhang, Chunyang Jia, Songhao Wu, Yuanxiao Ma, Young Jin Lee, Guodong Wang, Ji-Hyeon Park, Yiyun Zhang, Xiaoyan Yi, Yeliang Wang, Jinmin Li
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: Applied Physics Letters. 122:089901
ISSN: 1077-3118
0003-6951
Databáze: OpenAIRE