Fundamental Identification of Defect‐Related Electron Trap in Hf1−xZrxO2Alloy Gate Dielectric on Silicon: Oxygen Vacancy versus Hydrogen Interstitial

Autor:	Zhu-You Liu, Cai-Xin Zhang, Ruyue Cao, Xuefen Cai, Hui-Xiong Deng
Rok vydání:	2022
Předmět:	General Materials Science Condensed Matter Physics
Zdroj:	physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 17:2200316
ISSN:	1862-6270 1862-6254
DOI:	10.1002/pssr.202200316
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3560bc7d47ef468e7c823ed8a52e549 https://doi.org/10.1002/pssr.202200316 Zobrazit plný text záznamu Plný text