Investigation of graphene on hexagonal SiC polytypes by atomic force microscopy

Jazyk:	ruština
Rok vydání:	2022
Předmět:	атомно-силовая микроскопия atomic force microscopy raman spectroscopy спектроскопия комбинационного рассеяния света графен graphene однослойное и Ð´Ð²ÑƒÑ ÑÐ»Ð¾Ð¹Ð½Ð¾Ðµ графеновое покрытие высокотемпературный отжиг monolayer and double-layer graphene coatings high-temperature annealing
DOI:	10.18720/spbpu/3/2022/vr/vr22-963
Popis:	Данная работа посвящена изучению зависимости Ñ‚ÐµÑ Ð½Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¸Ñ Ð¿Ð°Ñ€Ð°Ð¼ÐµÑ‚Ñ€Ð¾Ð² метода высокотемпературного отжига подложек карбида кремния на количество образуемого однослойного графена. Были исследованы области однослойного и Ð´Ð²ÑƒÑ ÑÐ»Ð¾Ð¹Ð½Ð¾Ð³Ð¾ графена на Ð¿Ð¾Ð²ÐµÑ€Ñ Ð½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ 4H-SiC подложек методами Кельвин-зонд микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Экспериментально установлены основные параметры роста, при ÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ñ‹Ñ Ð´Ð¾ÑÑ‚Ð¸Ð³Ð°ÐµÑ‚ÑÑ минимальное значение Ð´Ð²ÑƒÑ ÑÐ»Ð¾Ð¹Ð½Ñ‹Ñ Ð¾Ð±Ð»Ð°ÑÑ‚ÐµÐ¹ и которые позволяют выполнять синтез однослойного покрытия с долей до 95% Ð¿Ð¾Ð²ÐµÑ€Ñ Ð½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ подложки. This work is devoted to the study of the dependence of the technological parameters of the method of high-temperature annealing of silicon carbide substrates on the amount of single-layer graphene formed. The regions of single-layer and double-layer graphene on the surface of 4H-SiC substrates were studied by Kelvin probe microscopy and Raman spectroscopy. The main growth parameters were experimentally established, at which the minimum value of two-layer regions is achieved and which allow one to synthesize a single-layer coating with a fraction of up to 95% of the substrate surface.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bfaf8c75f10908b820506471c014b362 Zobrazit plný text záznamu