Rapid Electron Beam and Optical Furnace Alloying of AuGe/Ni Contacts to GaAs

Autor: C. E. C. Wood, M. S. Frost, D. G. Hasko, D. V. Morgan, A. G. Nassibian, H. Ahmed
Rok vydání: 1991
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 125:255-262
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2211250121
Popis: A detailed analysis of electron beam and rapid optical furnace annealing of AuGe/Ni ohmic contacts is reported. Although the lowest contact resistance values obtained by both techniques are similar, surface topography is always better for E beam annealed samples. Rutherford back scattering and Ar+ ion sputtered X-ray photo electron depth profiling is used to relate the redistribution of Ge, Au, Ni, Ga, and As to alloying conditions. Ohmic behaviour is found to be coincident with and probably dependent upon the formation of a phase rich in Ge and Ni in the surface of the GaAs. Es wird eine detaillierte Analyse von Elektronenstrahl- und schneller optischer Schmelztemperung von ohmschen AuGe/Ni-Kontakten durchgefuhrt. Obwohl die niedrigsten Werte des Kontaktwider-standes, die mit beiden Techniken erhalten werden. ahnlich sind, ist die Oberflachentopographie fur E-Strahl getemperte Proben stets besser. Rutherfordruckstreuung und mit Ar+ -Ionen gesputterte Rontgen-Photoelektron-Tiefenprofilmessungen werden benutzt, um die Umverteilung von Ge, Au, Ni, Ga und As mit den Legierungsbedingungen zu verknupfen. Es wird gefunden, das ohmsches Verhalten mit der Bildung einer Ge- und Ni-reichcn Phase in der Oberflache von GaAs koinzidiert und wahrscheinlich davon abhangig ist.
Databáze: OpenAIRE
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