Doping of GSMBE-Grown Gallium Nitride Using Silane

Autor:	M. Kappers, J.-L. Guyaux, J.-C. Garcia
Rok vydání:	1999
Předmět:	chemistry.chemical_compound Materials science chemistry Doping Inorganic chemistry Gallium nitride Condensed Matter Physics Silane Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	physica status solidi (b). 216:615-618
ISSN:	1521-3951 0370-1972
DOI:	10.1002/(sici)1521-3951(199911)216:1<615::aid-pssb615>3.0.co;2-o
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be3d62cc43eb832eda956ba6eb62188f https://doi.org/10.1002/(sici)1521-3951(199911)216:1<615::aid-pssb615>3.0.co Zobrazit plný text záznamu Plný text