A Broadband Voltage Variable Attenuator With High-Power Tolerance and Compact Size Based on Dual-Gate GaN HEMTs

Autor: Zhifu Hu, Shaohua Zhou, Ruicong He, Qijun Zhang
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: IEEE Transactions on Power Electronics. 38:6108-6115
ISSN: 1941-0107
0885-8993
DOI: 10.1109/tpel.2023.3242474
Databáze: OpenAIRE