Heterostructures (Ca,Mg)F2 on silicon for creating an element base for two-dimensional nanoelectronics

Jazyk: ruština
Rok vydání: 2021
Předmět:
ultrahigh vacuum (UHV)
эпитаксиальные диэлектрики
двумерная электроника
epitaxial dielectrics
two-dimensional electronics
атомно-силовая микроскопия (АСМ)
atomic force microscopy (AFM)
молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
ÑÐ²ÐµÑ€Ñ Ð²Ñ‹ÑÐ¾ÐºÐ¸Ð¹ вакуум (СВВ)
3D дифракция Ð±Ñ‹ÑÑ‚Ñ€Ñ‹Ñ ÑÐ»ÐµÐºÑ‚Ñ€Ð¾Ð½Ð¾Ð² (ДБЭ) на отражение
molecular beam epitaxy (MBE)
3D reflection high-energy electron diffraction (RHEED)
DOI: 10.18720/spbpu/3/2021/vr/vr21-3687
Popis: Данная работа посвящена выращиванию методом МЛЭ Ñ‚Ð¾Ð½ÐºÐ¸Ñ ÑÐ»Ð¾ÐµÐ² твердого раствора MgxCa1-xF2 толщиной 12 нм с параметром смешивания x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 на Ð¿Ð¾Ð´Ð»Ð¾Ð¶ÐºÐ°Ñ Si(111) и исследованию Ð¸Ñ ÐºÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð°Ð»Ð»Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¹ структуры и топографии методами 3D ДБЭ и АСМ. Также был рассмотрен потенциал использования CaF2 совместно с MgF2 в двумерной наноэлектринике.
This work is devoted to the MBE growth of thin layers of the MgxCa1-xF2 solid solution 12 nm thick with the mixing parameter x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 on Si (111) substrates and the study of their crystal structure and topography by the 3D RHEED and AFM methods. The potential of using CaF2 together with MgF2 in two- dimensional nanoelectrics was also considered.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: