| Autor: |
Jackelinne Lares Vasconcelos, Clóves Gonçalves Rodrigues, José Elmo de Menezes, Marcos Lajovic Carneiro |
| Rok vydání: |
2022 |
| Předmět: |
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| Zdroj: |
REVISTA FOCO. 15:e345 |
| ISSN: |
1981-223X |
| DOI: |
10.54751/revistafoco.v15n2-006 |
| Popis: |
Entre os vários politipos do carbeto de silício ( -SiC), o 4H-SiC é reconhecido como o semicondutor mais atraente para operação em dispositivos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura devido a seu maior gap e maior mobilidade de portadores que o de outros politipos. Neste artigo foram determinados o deslocamento e a velocidade dos elétrons de condução no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo . O transporte dos elétrons de condução no semicondutor 4H-SiC foi obtido utilizando uma equação diferencial de movimento baseada na lei de força com adaptações quânticas, obtendo-se a mobilidade em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado e da temperatura. Foi constatado um aumento linear da velocidade em função do campo elétrico e uma diminuição não linear da mesma com o aumento da temperatura. A maior mobilidade ocorre quando a direção do campo elétrico aplicado é perpendicular ao eixo cristalico “ ” do cristal semicondutor 4H-SiC. |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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