Resonant States in III–V Semiconductor Compounds

Autor:	G. Iadonisi, G. P. Zucchelli
Rok vydání:	1974
Předmět:	Semiconductor Chemistry business.industry Atomic physics Condensed Matter Physics business Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	physica status solidi (b). 62:625-634
ISSN:	1521-3951 0370-1972
DOI:	10.1002/pssb.2220620232
Popis:	A realistic model to discuss resonant states in semiconductors as GaAs and InP is developed. Analytic expressions for the energies and the widths of the resonant states are found and compared with recent experimental optical results in InP. Es wird ein realistisches Modell zur Behandlung resorianter Zustande in Halbleitern wie GaAs und InP entwickelt. Analytische Ausdrucke der Energien und Rasonanzbreiten der Zustande werden berechnet und init neueren Ergebnissen ron optisclien Versuchen an InP verglichen.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba8c0826c7f7ddce1e43309a7b3bfdac https://doi.org/10.1002/pssb.2220620232 Zobrazit plný text záznamu Plný text