Molecular-dynamics simulations ofSiH3radical deposition on hydrogen-terminated silicon (100) surfaces

Autor:	Yoshiaki Takeuchi, Tatsuya Ohira, Masayoshi Murata, Osamu Ukai, Takeshi Adachi
Rok vydání:	1995
Předmět:	Molecular dynamics Materials science Hydrogen chemistry Silicon Chemical physics Diffusion chemistry.chemical_element Chemical vapor deposition Deposition (chemistry)
Zdroj:	Physical Review B. 52:8283-8287
ISSN:	1095-3795 0163-1829
DOI:	10.1103/physrevb.52.8283
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b844040413f1395b7ab36e589d40278b https://doi.org/10.1103/physrevb.52.8283 Zobrazit plný text záznamu