Hysteresis-free behavior of MoS2 negative capacitance transistor by using low-temperature grown HfO2 as encapsulation layer
Autor: | Xinge Tao, Lu Liu, Jingping Xu |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Zdroj: | TENCON 2022 - 2022 IEEE Region 10 Conference (TENCON). |
DOI: | 10.1109/tencon55691.2022.9977537 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |