Optimization of Source/Drain Schottky Barrier Height on BE SOI MOSFET

Autor:	L. S. Yojo, Katia R. A. Sasaki, Joao Antonio Martino, Ricardo C. Rangel
Rok vydání:	2018
Předmět:	Materials science business.industry Schottky barrier MOSFET Optoelectronics Silicon on insulator business
Zdroj:	ECS Transactions. 85:79-84
ISSN:	1938-5862 1938-6737
DOI:	10.1149/08508.0079ecst
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b54f6b280a83c41c0a178eb66e072e16 https://doi.org/10.1149/08508.0079ecst Zobrazit plný text záznamu