A Novel Charge Pumping Technique With Gate-Induced Drain Leakage Current

Autor: Geon-Beom Lee, Jeong-Yeon Kim, Yang-Kyu Choi
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: IEEE Electron Device Letters. 44:709-712
ISSN: 1558-0563
0741-3106
Databáze: OpenAIRE