Sub-micron InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors for ultra high-speed digital integrated circuits

Autor:	Hammer, Urs
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2009
Předmět:	Electric engineering VERY HIGH SPEED INTEGRATED CIRCUITS VHSIC (MICROELECTRONICS) INTEGRATED CIRCUITS (HARDWARE) HOCHINTEGRIERTE HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNGEN VHSIC (MIKROELEKTRONIK) BIPOLAR TRANSISTORS (ELECTRONICS) BIPOLARE TRANSISTOREN (ELEKTRONIK) INTEGRIERTE SCHALTKREISE (HARDWARE)
DOI:	10.3929/ethz-a-005990018
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5139d2e2720541b3486b2455526934d Zobrazit plný text záznamu