Blocking-Layer Design for the Suppression of Parasitic Recombination in High-Power Laser Diodes with a GaAs Waveguide

Autor:	M. E. Muretova, F. I. Zubov, L. V. Asryan, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov
Rok vydání:	2022
Předmět:	Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Semiconductors. 56:246-252
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782622040029
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3a38fd2df4f77c00369ec98b323235e https://doi.org/10.1134/s1063782622040029 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.