Re‐evaluation of Ni/ p‐GaN Schottky‐Barrier Height Based on Thermionic‐Emission‐Diffusion Theory
| Autor: | Kazuhiro Mochizuki, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima |
|---|---|
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering. 17:1375-1376 |
| ISSN: | 1931-4981 1931-4973 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
Plný text