Modeling and Analysis of SiC GTO Thyristor’s Dynamic Turn-On Transient

Autor:	Hangzhi Liu, Jun Wang, Shiwei Liang, Hengyu Yu, Gaoqiang Deng, Yuwei Wang, Z. John Shen
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 69:6241-6248
ISSN:	1557-9646 0018-9383
DOI:	10.1109/ted.2022.3208218
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1fe27957f21e4aa8639bc2cb001a906 https://doi.org/10.1109/ted.2022.3208218 Zobrazit plný text záznamu