Many-Electron Effects in the Negative Silicon Vacancy
Autor: | Frederick G. Anderson, G. Grossmann, Frank S. Ham |
---|---|
Rok vydání: | 1992 |
Předmět: | |
Zdroj: | Materials Science Forum. :475-480 |
ISSN: | 1662-9752 |
DOI: | 10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.475 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |