Electronic properties and defect levels induced by n/p-type defect-complexes in Ge
Autor: | E. Igumbor, O. Olaniyan, G.M. Dongho-Nguimdo, R.E. Mapasha, S. Ahmad, E. Omotoso, W.E. Meyer |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | Materials Science in Semiconductor Processing. 150:106906 |
ISSN: | 1369-8001 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |