Electrostatic gating activated single flexural phonon dependent mobility in graphene in BG regime

Autor:	S. A. Khatoon, D. K. Patel, Ssz Ashraf, Meenhaz Ansari
Rok vydání:	2019
Předmět:	Materials science Flexural strength Condensed matter physics Phonon Graphene law Gating law.invention
Zdroj:	DAE SOLID STATE PHYSICS SYMPOSIUM 2018.
ISSN:	0094-243X
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac78d3650b7566741cca3ccf8af36375 https://doi.org/10.1063/1.5113183 Zobrazit plný text záznamu