ChemInform Abstract: NONDESTRUCTIVE LOCATION OF OXIDE BREAKDOWNS ON MOSFET STRUCTURES

Autor:	R. D. Sandison, P. L. Garbarino
Rok vydání:	1973
Předmět:	chemistry.chemical_compound chemistry business.industry MOSFET Oxide Optoelectronics General Medicine business
Zdroj:	Chemischer Informationsdienst. 4
ISSN:	0009-2975
DOI:	10.1002/chin.197334017
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab444d2d45e0666f22f6adb2d7f3c243 https://doi.org/10.1002/chin.197334017 Zobrazit plný text záznamu Plný text