新型HfO2 栅介质中的频散效应及参数提取方法
| Autor: | Sai TALLAVARJULA, Aaron ZHAO |
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| Rok vydání: | 2010 |
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| Zdroj: | SCIENTIA SINICA Informationis. 40:892-898 |
| ISSN: | 1674-7267 |
| Popis: | 本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD (atom layer chemical vapor deposi- tion) 方法淀积的HfO 2 /SiO 2 /p-Si MOS 电容的电特性. 高频时, 积累电容出现了频率色散现象. 针对双频C-V 法测量超薄HfO 2 /SiO 2 堆栈栅MOS 电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应, 给出了改进的等效电路模型, 消除了频率色散. 研究发现, 高k 介质中存在的缺陷和SiO 2 /Si 处的界面态, 使高频C-V 特性发生漂移. 对禁带中界面态的分布进行归纳, 得到C-V 曲线形变的规律. 研究了形变的C-V 曲线与理想C-V 特性的偏离, 给出了界面态电荷密度的分布, 得到了相对于实测 C-V 曲线的矫正线. 通过比较理想C-V 曲线和矫正线, 提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO 2 /Si 界面的界面态密度等典型的电学参数. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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