Potential model and simulation analysis of dual material gate vertical TFET with impact of interface trap charges

Autor: K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi, R. Anusha Padmavathi
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: Micro and Nanostructures. 172:207443
ISSN: 2773-0123
DOI: 10.1016/j.micrna.2022.207443
Databáze: OpenAIRE