The effect of O2 plasma on properties of the SiSiO2 system

Autor: K. I. Kirov, S. Alexandrova, A. Szekeres
Rok vydání: 1980
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 62:727-736
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2210620247
Popis: The radiation damage in a Si-SiO2 system exposed to O2 plasma in a planar reactor is investigated in dependence on the exposure time, the substrate temperature, and the pressure of O2. Capacitance-voltage (C-U) techniques and a static method are used to monitor charge trapping in the metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors. In all experiments a negative and a positive charging effect is observed as a result of plasma influence. Low and high temperature annealing is performed in order to eliminate radiation damage induced by the plasma. It is concluded that high temperature annealing is necessary prior to metallization to remove completely the radiation damage produced at substrate temperatures sufficiently above 20 °C. Metallized Si-SiO2 systems are also investigated and it is found that the metal layer gives a complete protection against the influence of the plasma. Strahlungsdefekte in Si-SiO2-Strukturen, die wahrend der Behandlung einer Struktur im Sauerstoffplasma eines Planarplasmareaktors entstehen, werden in Abhangigkeit von Bearbeitungszeit, Substrattemperatur und O2-Gasdruck untersucht. Auf dem plasmabehandelten Si-SiO2-System werden Metallpunkte aufgebracht und an den MOS-Kondensatoren C-U- und statische Q-U. Messungen durchgefuhrt. Positive und negative Ladungen im Dielektrikum werden als Folge der Plasmawirkung beobachtet. Zur Beseitigung der Strahlungsdefekte wird eine Temperung bei Hoch- und Niedertemperaturen durchgefuhrt. Ist die Substrattemperatur wahrend der Plasmabehandlung wesentlich hoher als 20 °C, dann ist zur vollkommenen Ausheilung der Defekte eine Hochtemperaturbehandlung vor der Metallisierung notwendig. Die Plasmabehandlung der mit Metallpunkten versehenen Strukturen zeigt, das das Metall als vollstandiger Schutz gegen einen Plasmaeinflus dienen kann.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: