| Popis: |
В настоящей работе разработаны и исследованы фотоприёмники на основе гетероструктур InAs/InAs[0.94]Sb[0.06]/InAsSbP/InAs[0.88]Sb[0.12]/InAsSbP, работающие в средней ИК области спектра 2-5 мкм при комнатной температуре. Следует отметить, что токовая монохроматическая чувствительность достигает значений 0.6−0.8A/Вт в спектральном диапазоне λ[max] = 4.0−4.6 мкм, а значения плотности обратных токов достигает значений (1.3−7.5)×10{−2} A/см{2}. При этом обнаружительная способность фотоприёмника достигает (5−8)×10{8} см•Гц{1/2}•Вт{−1}. |
