Nonstoichiometric Germanium Nitride. A New Insulating Material for MIS Microelectronics

Autor:	G. D. Bagratishvili, R. B. Dzhaneltdze, D. A. Jishiashvili
Rok vydání:	1983
DOI:	10.1515/9783112493144-004
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a18868b9fe6aa375803dbbd3a39a0352 https://doi.org/10.1515/9783112493144-004 Zobrazit plný text záznamu