Improved read/write assist mechanism for 10‐transistor static random access memory cell

Autor:	Erfan Abbasian, Morteza Gholipour
Rok vydání:	2022
Předmět:	Applied Mathematics Electrical and Electronic Engineering Computer Science Applications Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	International Journal of Circuit Theory and Applications. 50:3642-3660
ISSN:	1097-007X 0098-9886
DOI:	10.1002/cta.3361
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9fff8fcfbbf4d57e19061400adbba622 https://doi.org/10.1002/cta.3361 Zobrazit plný text záznamu Plný text