Three Level Charge Pumping On Dielectric Hafnium Oxide Gate

Autor:	Y. Raffel, M. Drescher, R. Olivo, M. Lederer, R. Hoffmann, L. Pirro, T. Chohan, T. Kampfe, K. Seidel, S. De, J. Heitmann
Rok vydání:	2022
Zdroj:	2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW).
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9fe7dae67a38e0a3d20f605f1c163eec https://doi.org/10.1109/iirw56459.2022.10032750 Zobrazit plný text záznamu