The characterisation of Si/Si1–x Ge x superlattices by X-ray techniques

Autor: M A G Halliwell, C. G. Tuppen, C. J. Gibbings, M. H. Lyons
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Microscopy of Semiconducting Materials, 1987
DOI: 10.1201/9781003069621-96
Databáze: OpenAIRE