Reliability Improvement of Gate-All-Around SONOS Memory by Joule Heat From Gate-Induced Drain Leakage Current

Autor: Jung-Woo Lee, Joon-Kyu Han, Ji-Man Yu, Geon-Beom Lee, Il-Woong Tcho, Yang-Kyu Choi
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: IEEE Transactions on Electron Devices. 69:115-119
ISSN: 1557-9646
0018-9383
DOI: 10.1109/ted.2021.3131288
Databáze: OpenAIRE