High Voltage Silicon Carbide Schottky Diodes with Single Zone Junction Termination Extension

Autor:	Konstantin V. Vassilevski, I. Nikitina, A.B. Horsfall, Nicolas G. Wright, Anthony G. O'Neill, Keith P. Hilton, A.G. Munday, A.J. Hydes, Michael J. Uren, C. Mark Johnson
Rok vydání:	2007
DOI:	10.4028/0-87849-442-1.873
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c72b6fdf095fd4e764351b37ee8211c https://doi.org/10.4028/0-87849-442-1.873 Zobrazit plný text záznamu