| Autor: |
G Nuzillat, P Sixou, J.P Courat |
| Rok vydání: |
1969 |
| Předmět: |
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| Zdroj: |
Solid State Communications. 7:1123-1128 |
| ISSN: |
0038-1098 |
| DOI: |
10.1016/0038-1098(69)90498-0 |
| Popis: |
Resume On compare les resultats concernant l'evaluation des densites d'etats de surface dans les structures MOS en utilisant la methode de Berglund1 et une methode que nous avons decrite precedemment.2 On trouve, par les deux methodes et avec un bon accord, que la structure consideree est caracterisable par un continuum d'etats de surface passant par un minimum dans l'intervalle du gap explore lors de la variation de tension consideree. |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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