Study ofa-Plane GaN Epitaxial Lateral Overgrowth Using Carbonized Photoresist Mask onr-Plane Sapphire

Autor: Samseok Jang, Dohan Lee, Jun-hyuck Kwon, Sang-il Kim, So young Yim, Jaesang Lee, Ji Hun Park, Dongjin Byun
Rok vydání: 2012
Předmět:
Zdroj: Japanese Journal of Applied Physics. 51:115501
ISSN: 1347-4065
0021-4922
DOI: 10.7567/jjap.51.115501
Databáze: OpenAIRE