Study ofa-Plane GaN Epitaxial Lateral Overgrowth Using Carbonized Photoresist Mask onr-Plane Sapphire
Autor: | Samseok Jang, Dohan Lee, Jun-hyuck Kwon, Sang-il Kim, So young Yim, Jaesang Lee, Ji Hun Park, Dongjin Byun |
---|---|
Rok vydání: | 2012 |
Předmět: | |
Zdroj: | Japanese Journal of Applied Physics. 51:115501 |
ISSN: | 1347-4065 0021-4922 |
DOI: | 10.7567/jjap.51.115501 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |