Autor:	S. S. Simeonov, A. L. Guerassimov, E. I. Kafedjiiska
Rok vydání:	1990
Předmět:	Deep level Silicon Chemistry Schottky barrier Semiconductor materials Vacancy defect Analytical chemistry Mineralogy chemistry.chemical_element Irradiation Condensed Matter Physics Electronic Optical and Magnetic Materials Ion
Zdroj:	physica status solidi (a). 122:K147-K150
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2211220253
Popis:	Les niveaux profonds aux complexes de lacunes donneuses sont des centres de generation-recombinaison. L'influence observee du bombardement des substrats de Si, avec des ions Ar de 1 keV, s'explique par la generation de tels niveaux profonds dans les substrats de Si durant le bombardement
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::95425169e5f8efa2d4a6d3c1bce1076b https://doi.org/10.1002/pssa.2211220253 Zobrazit plný text záznamu Plný text