30‐2: Top‐Gate Self‐Aligned InGaZnO TFTs with High PBTS Reliability by Employing Different H‐Incorporation Process

Autor: Chun Hsiung Fang, Yuan Chun Wu, Fang Mei Liu, Yun Long Jiang, Jang Soon Im, Yuan Jun Hsu, Po Yen Lu
Rok vydání: 2019
Předmět:
Zdroj: SID Symposium Digest of Technical Papers. 50:418-421
ISSN: 2168-0159
0097-966X
DOI: 10.1002/sdtp.12945
Databáze: OpenAIRE