30‐2: Top‐Gate Self‐Aligned InGaZnO TFTs with High PBTS Reliability by Employing Different H‐Incorporation Process
Autor: | Chun Hsiung Fang, Yuan Chun Wu, Fang Mei Liu, Yun Long Jiang, Jang Soon Im, Yuan Jun Hsu, Po Yen Lu |
---|---|
Rok vydání: | 2019 |
Předmět: | |
Zdroj: | SID Symposium Digest of Technical Papers. 50:418-421 |
ISSN: | 2168-0159 0097-966X |
DOI: | 10.1002/sdtp.12945 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |