The Effect of Ionizing Irradiation on the Charge Distribution and Breakdown of MOSFETs

Autor:	O. V. Aleksandrov, N. S. Tyapkin, S. A. Mokrushina, V. N. Fomin
Rok vydání:	2022
Předmět:	Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Semiconductors. 56:160-163
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782622020038
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::94cd54bccd6a0b5f02ba38448b09b1ad https://doi.org/10.1134/s1063782622020038 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.