Etude des défauts profonds dans l'arséniure de gallium implantés en oxygène et co-implantés en silicium par la méthode FTDLTS
| Autor: | P. N. Favennec, Dang Tran Quan, A. Le Bloa, Z. Guennouni |
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| Rok vydání: | 1994 |
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| Zdroj: | Journal de Physique III. 4:997-1009 |
| ISSN: | 1286-4897 1155-4320 |
| DOI: | 10.1051/jp3:1994180 |
| Popis: | On rappelle d'abord la mise en oeuvre d'une nouvelle methode isotherme appelee FTDLTS (Fourier Transform Deep Level Transient Spectroscopy) dont le pouvoir separateur en constante de temps est nettement superieur a celui des methodes DLTS classiques. On l'applique a la caracterisation des defauts profonds, dans le domaine de temperatures 200-450 K, des echantillons de GaAs implantes en oxygene et en silicium. Plusieurs defauts a niveau d'energie discret appartenant a la bande U et dont les signatures, toutes proches de celle de EL3, sont voisines ont ete mis en evidence. L'un de ces defauts (Ea = 0,56 eV) semble etre le defaut complexe Ga-O-Ga. Trois defauts EDI, ED2 et ED3 de la famille EL2 ont ete egalement mis en evidence ; deux d'entre eux, ED2 et ED3 ont une signature proche de celle de EL0 et EL2 respectivement. La co-implantation de silicium avec l'oxygene favorise, dans nos echantillons recuits a 650 ○C et a 900 ○C, la formation de ED2 par rapport a celle de ED1. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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