Investigation of Defect Engineering Toward Prolonged Endurance for HfZrO Based Ferroelectric Device

Autor:	J.H. Lee, C.H. Chou, P.J. Liao, Y.K. Chang, H.H. Huang, T.Y. Lin, Y.S. Liu, C.H. Nien, D.H. Hou, T.H. Hou, Jun He
Rok vydání:	2022
Zdroj:	2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
DOI:	10.1109/iedm45625.2022.10019519
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90aa0ee669c95194cfeb16eab428c173 https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019519 Zobrazit plný text záznamu