Electronic Properties and Defect Levels Induced by n/p-Type Defect-Complexes in Ge
Autor: | Emmanuel Igumbor, Okikiola Olaniyan, Guy Moise Dongho-Nguimdo, Edwin Mapasha, Sohail Ahmad, E Omotoso, Walter E. Meyer |
---|---|
Rok vydání: | 2021 |
Předmět: | |
Zdroj: | SSRN Electronic Journal. |
ISSN: | 1556-5068 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |