Application of semiconductor detectors in crystal structure investigations

Autor: Z. Szmid, S. Szarras, M. Szymczak, J. Chwaszczewska
Rok vydání: 1971
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 4:619-626
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2210040305
Popis: A polychromatic X-ray beam has been scattered at polycrystalline samples and the energy distribution of X-rays diffracted under a fixed angle, 2 θ, was measured by means of semiconductor spectrometer with a Si(Li) detector. Under these conditions the X-ray pattern is obtainable in a few minutes. The resolution of the spectrometer was about 1 keV. Good agreement between the calculated and observed positions of diffraction peaks for Al, Cu, Pt, and Au foils as well as for a powdered Si sample was obtained. For the Si sample a comparison of the observed and calculated intensities was made and good agreement was obtained. Die Energieverteilung eines auf einer polykrystallinen Probe und bei konstantem Winkel, 2 θ, gebeugten polychromatischen Rontgenbundels wurde mit einem Halbleiterspektrometer mit Si(Li)-Detektor gemessen. Die Verwendung des Si-Detektors ermoglichte es, bei konstanter Geometrie des Experiments eine Beugungsfigur in wenigen Minuten zu erhalten. Das Auflosungsvermogen betrug 1 keV. Es wurde eine gute Ubereinstimmung zwischen den berechneten und beobachteten Lagen der Beugungsmaxima von Al, Cu, Pt und Au Folien sowie einer pulverisierten Si-Probe festgestellt. Fur die Si-Probe wurde ein Vergleich der berechneten und beobachteten Intensitaten durchgefuhrt und ebenfalls gute Ubereinstimmung erhalten.
Databáze: OpenAIRE
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