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최근 발광다이오드(LED)의 출력 성능을 높이고, 전력 소비를 줄이기 위해 LED 패키지 분야에서 실리콘 기판 연구가 집중되고 있다. 본 연구에서는 공정 비용이 낮고 생산성이 높은 습식 식각을 이용하여 실리콘 기판의 실리콘 관통 비아식각 공정을 살펴보았다. KOH를 이용한 양면 습식 식각 공정과 습식 식각과 건식 식각을 병행한 두 가지 공정 방법으로 실리콘 관통 비아를 제작하였고, 식각된 실리콘 관통 비아에 Cu 전극과 배선은 전기도금으로 증착하였다. Cu 전극을 연결하는배선의 전기저항은 약 5.5Ω 정도로 낮게 나타났고, 실리콘 기판의 열 저항은 4K/W으로 AlN 세라믹 기판과 비슷한 결과를보였다. Abstract: Silicon substrate for light emitting diodes (LEDs) has been the tendency of LED packaging for improvingpower consumption and light output. In this study, a low cost and high throughput Si through via fabrication has beendemonstrated using a wet etching process. Both a wet etching only process and a combination of wet etching and dry etchingprocess were evaluated. The silicon substrate with Si through via fabricated by KOH wet etching showed a good electricalresistance (~5.5Ω) of Cu interconnection and a suitable thermal resistance (4 K/W) compared to AlN ceramic substrate.Keywords: LED, Si substrate, Si through-via, Wet etching, Thermal resistance |
