Investigation of Line-edge Roughness Effects on Electrical Characteristics of Nanowire Tunnel FETs and MOSFETs
Autor: | Sangwan Kim, Jang Hyun Kim, Seong-Su Shin, Min Gyu Lee |
---|---|
Rok vydání: | 2020 |
Předmět: | |
Zdroj: | JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE. 20:41-46 |
ISSN: | 2233-4866 1598-1657 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |