Characterization and Analysis of Random Telegraph Noise in Scaled SiGe Channel HKMG pMOSFETs

Autor:	Ch. L. N. Pavan, Rama Divakaruni, Anjan Chakravorty, Deleep R. Nair
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 69:456-461
ISSN:	1557-9646 0018-9383
DOI:	10.1109/ted.2021.3133203
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c8f647331d388f77cc52cfae0b68193 https://doi.org/10.1109/ted.2021.3133203 Zobrazit plný text záznamu