| Autor: |
D. Zahorski, Dominique Débarre, T. Sarnet, J. Venturini, J. Boulmer, C. Laviron, M.N. Semeria, M. Hernandez, G. Kerrien |
| Rok vydání: |
2003 |
| Předmět: |
|
| Zdroj: |
Journal de Physique IV (Proceedings). 108:71-74 |
| ISSN: |
1155-4339 |
| DOI: |
10.1051/jp4:20030599 |
| Popis: |
Cette etude concerne les techniques de recuit laser (LTP) et de dopage laser direct (GILD) de jonctions ultra-minces, necessaires a la fabrication des composants microelectroniques du futur (generations CMOS sub 0,1 μm). Des jonctions de 20 a 80 nm sont realisees a l'aide d'un laser a excimeres. Le procede est suivi en temps reel grâce a l'analyse de la reflectivite transitoire a 675 nm. L'evolution de l'activation des dopants est ensuite caracterisee par spectroscopie IR (FTIR). Les resultats obtenus permettent de caracteriser les jonctions en termes d'epaisseur dopees, concentration et resistivite. Une comparaison avec des caracterisations classiques (mesures electriques de resistivite, profils SIMS) permet de valider ces mesures et de mettre en evidence l'interet des techniques optiques pour la caracterisation in-situ et ex-situ des couches minces dopees realisees par laser. |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
