Normally-off Operation of Planar GaN MOS-HFET without using Etching Process

Autor: Takuma Nanjo, Tetsuro Hayashida, A. Imai, A. Furukawa, Hidetoshi Koyama, M. Yamamuk
Rok vydání: 2016
Předmět:
Zdroj: Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials.
DOI: 10.7567/ssdm.2016.n-6-04l
Databáze: OpenAIRE