Normally-off Operation of Planar GaN MOS-HFET without using Etching Process
Autor: | Takuma Nanjo, Tetsuro Hayashida, A. Imai, A. Furukawa, Hidetoshi Koyama, M. Yamamuk |
---|---|
Rok vydání: | 2016 |
Předmět: | |
Zdroj: | Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials. |
DOI: | 10.7567/ssdm.2016.n-6-04l |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |