Influence of AlGaN n-type doping and AlN thickness on the two-dimensional electron gas density (ns) and resistance (R2DEG)

Autor: C. Piotrowicz, B. Mohamad, N. Malbert, M.-A. Jaud, W. Vandendaele, M. Charles, R. Gwoziecki
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: Solid-State Electronics. 201:108594
ISSN: 0038-1101
DOI: 10.1016/j.sse.2023.108594
Databáze: OpenAIRE