Simulation of new types of silicon carbide-based transistors in the key mode
| Autor: | A.A. Vorshevsky, P.A. Vorshevsky |
|---|---|
| Rok vydání: | 2022 |
| Zdroj: | Актуальные проблемы морской энергетики. Материалы одиннадцатой международной научно-технической конференции. |
| DOI: | 10.52899/9785883036322_242_245 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|