High Field Effect Mobility in 6H-SiC MOSFET with Gate Oxides Grown in Alumina Environment

Autor:	Fredrik Allerstam, G. Gudjónsson, H.Ö. Ólafsson, Einar O. Sveinbjörnsson, T. Rödle, R. Jos
Rok vydání:	2005
DOI:	10.4028/0-87849-963-6.837
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86242df0da629bd293e0863dc9fbab79 https://doi.org/10.4028/0-87849-963-6.837 Zobrazit plný text záznamu